مطالعه رسانندگی و اختلاف سطح الکتریکی در لایه های نازک چند بلوری CuInTe2 و CuInSe2 همراه با ناخالصی اندیم
نوع مقاله : مقاله پژوهشی
چکیده
مواد CuInTe2 و CuInSe2 از نوع مثبت (P ) چند بلوری هستند که با افزودن درصدی اندیم به ترکیب عنصری این مواد، قابلیت رسانندگی آنها افزایش می یابد. با تغییر ضریبهای هال RH و تحرک هال ، در دماها و میدانهای مختلف، دریچه ای در P-CuInTe2 مشاهده شده است. با افزایش دما به بیش ازk 170 و تغییر RH، فاصله بین سطح دانه ها بیشتر می شود. با افزودن درصدی اندیم به این لایه ها، ضریب هال در گستره های دمایی k 200-77 ثابت می ماند . در این مقاله نشان خواهیم داد که در ماده CuInSe2 -P که به صورت لایه هایی با ترکیب عنصری است، با افزودن اندیم به دمای بیش از k 150، فاصله میان سطح دانه ها بیشتر می شود. در این مقاله، مقادیر در لایه های یاد شده مورد مطالعه قرار گرفته است.
. (1390). مطالعه رسانندگی و اختلاف سطح الکتریکی در لایه های نازک چند بلوری CuInTe2 و CuInSe2 همراه با ناخالصی اندیم. نشریه علوم و مهندسی سطح, 7(11), 87-95.
MLA
. "مطالعه رسانندگی و اختلاف سطح الکتریکی در لایه های نازک چند بلوری CuInTe2 و CuInSe2 همراه با ناخالصی اندیم". نشریه علوم و مهندسی سطح, 7, 11, 1390, 87-95.
HARVARD
. (1390). 'مطالعه رسانندگی و اختلاف سطح الکتریکی در لایه های نازک چند بلوری CuInTe2 و CuInSe2 همراه با ناخالصی اندیم', نشریه علوم و مهندسی سطح, 7(11), pp. 87-95.
VANCOUVER
. مطالعه رسانندگی و اختلاف سطح الکتریکی در لایه های نازک چند بلوری CuInTe2 و CuInSe2 همراه با ناخالصی اندیم. نشریه علوم و مهندسی سطح, 1390; 7(11): 87-95.
)